TLC277 二路精密单电源运算放大器

TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了多种输入失调电压等级，具有低失调电压漂移，高输入阻抗，低噪声和高速度接近通用BiFET器件的那些。

这些器件使用的是德州仪器公司的硅栅LinCMOS ??该技术可提供远远超过传统金属栅极工艺稳定性的偏移电压稳定性。

极高的输入阻抗，低偏置电流和高压摆率使这些经济高效的器件非常适用于以前的应用保留用于BiFET和NFET产品。提供四种偏移电压等级（C后缀和I后缀类型），范围从低成本TLC272（10 mV）到高精度TLC277（500 uV）。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般情况下， LinCMOS上有许多与双极技术相关的功能？运算放大器没有双极技术的功率损失。 TLC272和TLC277可轻松设计一般应用，如换能器接口，模拟计算，放大器模块，有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电，非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受100 mA的浪涌电流而不会出现闩锁现象。

TLC272和TLC277内置ESD保护电路，可防止电压高达2000 V时出现功能故障。在MIL-STD-883C，方法3015.2下测试;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。