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该器件采用LinCMOS制造?该技术由两个独立的电压比较器组成,每个电压比较器均设计为采用单电源供电。如果两个电源之间的差异为2 V至18 V,则也可以使用双电源供电。每个器件都具有极高的输入阻抗(通常大于10 12 Ω),允许直接与高电平连接阻抗源。输出为n沟道开漏配置,可以连接以实现正逻辑线与关系。
TLC372具有内部静电放电(ESD)保护电路,并已分类为1000- V ESD额定值使用人体模型测试。但是,在处理此器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
TLC372C的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 TLC372I的工作温度范围为-40°C至85°C。 TLC372M的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 TLC372Q的工作温度范围为-40°C至125°C。
LinCMOS是德州仪器公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Output Type |
Vs (Min) (V) |
Vs (Max) (V) |
Propagation Delay Time (uS) |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
Rail-to-Rail |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Features |
VICR (Max) (V) |
VICR (Min) (V) |
Package Group |
TLC372 | TLC374 |
---|---|
2 | 4 |
Open Collector | Open Collector |
3 | 3 |
16 | 16 |
0.2 | 0.2 |
5 | 5 |
0.075 | 0.075 |
0.03 | 0.03 |
Out | Out |
Catalog | Catalog |
-40 to 125 -40 to 85 -55 to 125 0 to 70 | -40 to 85 -55 to 125 0 to 70 |
N/A | N/A |
15 | 15 |
0 | 0 |
PDIP SO SOIC TSSOP | PDIP SO SOIC TSSOP |