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该器件采用LinCMOS制造?该技术由两个独立的电压比较器组成,每个电压比较器均设计为采用单电源供电。如果两个电源之间的差异为1.4 V至18 V,也可以使用双电源供电。每个器件都具有极高的输入阻抗(通常大于10 12 ),它允许直接连接高阻抗源。输出为n沟道开漏配置,可以连接以实现正逻辑线与关系。 TLC352采用1.4V电源供电,使该器件非常适合低压电池应用。
TLC352具有内部静电放电(ESD)保护电路,已归类为2000V ESD等级在MIL-STD-883C,方法3015下测试。但是,在处理该器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
TLC352C具有操作特性从0°C到70°C。 TLC352I的工作温度范围为40°C至85°C。
LinCMOS是德州仪器公司的商标。
Number of Channels (#) |
Output Type |
Vs (Min) (V) |
Vs (Max) (V) |
Propagation Delay Time (uS) |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
Rail-to-Rail |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Features |
VICR (Max) (V) |
VICR (Min) (V) |
Package Group |
TLC352 | TLC354 |
---|---|
2 | 4 |
Open Collector | Open Collector |
1.4 | 1.4 |
16 | 16 |
0.65 | 0.65 |
5 | 5 |
0.07 | 0.07 |
20 | 20 |
Out | Out |
Catalog | Catalog |
-40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 |
N/A | N/A |
15 | 15 |
0 | 0 |
PDIP SOIC TSSOP | PDIP SOIC TSSOP |