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INA111是一款高速FET输入仪表放大器,具有出色的性能。
INA111采用电流反馈拓扑结构,提供扩展带宽(G = 10时为2MHz)和快速建立时间(G = 100时为4us至0.01%)。单个外部电阻可将任何增益设置为1至1000以上。
偏移电压和漂移经过激光调整,具有出色的DC精度。 INA111的FET输入将输入偏置电流降至20pA以下,简化了输入滤波和限制电路。
INA111采用8引脚塑料DIP和SOL-16表面贴装封装,额定温度范围为-40°C至+ 85°C。
Number of Channels (#) |
Vs (Min) (V) |
Vs (Max) (V) |
CMRR (Min) (dB) |
Input Offset (+/-) (Max) (uV) |
Input Offset Drift (+/-) (Max) (uV/C) |
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
Noise at 1kHz (Typ) (nV/rt(Hz)) |
Iq (Typ) (mA) |
Bandwidth at Min Gain (Typ) (MHz) |
Gain (Min) (V/V) |
Gain (Max) (V/V) |
Gain Error (+/-) (Max) (%) |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Noise at 0.1 Hz - 10 Hz (Typ) (uVpp) |
Gain Non-Linearity (+/-) (Max) (%) |
INA111 |
---|
1 |
12 |
36 |
106 |
500 |
5 |
0.02 |
10 |
3.3 |
2 |
1 |
1000 |
2 |
-40 to 85 |
PDIP SOIC |
See datasheet (PDIP) 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) |
1 |
0.005 |