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TPS53627 适用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+ 降压控制器

数据:

描述

TPS53627器件是兼容VR13 SVID的无驱动器同步降压控制器。高级控制特性(例如具有重叠脉冲的D-CAP +™架构)支持下冲衰减(USR)和过冲衰减(OSR),可提供快速瞬态响应,最低输出电容和高效率。该器件还支持在CCM和DCM运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套VR13 I /O特性,包括VR_READY(PGOOD), ALERT VR_HOT .SVID接口地址允许在00h到07h的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达20mV /uS。

与TI NexFET™功率级

TPS53627器件采用节省空间的热增强型32引脚VQFN封装,可在-40°C到+ 105° C温度下运行。

特性

  • 兼容英特尔® VR13串行VID(SVID)
  • 单相或两相运行
  • 支持压降和非压降应用
  • 8位DAC,具有10mV的步长
  • 4.5V至28V转换电压范围
  • 输出电压范围:0.5V到2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8级独立的过冲衰减(OSR)和下冲衰减(USR
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式,电源块,功率级™或DrMOS MOSFET实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz至1MHz的频率选择
  • 已获专利AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程ON -Pulse扩展
  • 可编程自动DCM和CCM运行
  • 可选8级电流限制
  • 小型32引脚4mm×4mm VQFN封装PowerPad™封装< /li>

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 处理器 V 内核降压控制器

 
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Vout (Min) (V)
Vout (Max) (V)
Iout (Max) (A)
Platform
Number of Phases
Regulated Outputs (#)
Switching Frequency (Min) (kHz)
Switching Frequency (Max) (kHz)
Features
Iq (Typ) (mA)
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Rating
TPS53627 TPS53626
4.5     4.5    
28     28    
0.5     0.25    
3.04     1.52    
95     70    
VR13     VR13    
2     2    
1     1    
300     300    
1000     1000    
Adjustable Current Limit
Dynamic Voltage Scaling
Enable
Light Load Efficiency
Output Discharge
Phase Interleaving
Power Good
Pre-Bias Start-Up
Remote Sense
SVID
Synchronous Rectification    
Adjustable Current Limit
Dynamic Voltage Scaling
Enable
Light Load Efficiency
Output Discharge
Phase Interleaving
Power Good
Pre-Bias Start-Up
Remote Sense
SVID
Synchronous Rectification    
3.5     3.5    
-40 to 105     -40 to 105    
VQFN     VQFN    
Catalog     Catalog    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TPS53627 相关库存

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