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数据: ISO5452 具有分离输出和有源保护功能的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表 (Rev. B)
ISO5452是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH和OUTL)以及2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力。输出端由2.25V至5.5V的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为15V至
30V。两路互补CMOS输入控制栅极驱动器输出状态.76ns的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。
内置的去饱和(DESAT)故障检测功能可识别IGBT何时处于过流状态。检测到DESAT时,“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁止OUTH并将OUTL拉至低电平持续
2μs。当OUTL达到2V时(相对于最大负电源电势V EE2 ),栅极驱动器输出会被“硬”拉至V EE2 电势,从而立即将IGBT关断。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以及输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。“静音”逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存,并只能在RDY变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT,输出电压会被硬钳位为V EE2 。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止IGBT在高电压瞬态条件下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY输出会变为低电平,否则该输出为高电平。
ISO5452采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+ 125°C。
所有商标均为其各自所有者的财产。
Isolation Rating (Vrms) |
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk) |
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk) |
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Enable/Disable Function |
Output VCC/VDD (Max) (V) |
Output VCC/VDD (Min) (V) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Peak Output Current (A) |
Prop Delay (ns) |
Prop Delay (Max) (ns) |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
ISO5452 | ISO5852S |
---|---|
5700 | 5700 |
8000 | 8000 |
1420 | 2121 |
1 | 1 |
IGBT SiCFET MOSFET | IGBT SiCFET |
N/A | N/A |
30 | 30 |
15 | 15 |
2.25 | 2.25 |
5.5 | 5.5 |
5 | 5 |
76 | 76 |
110 | 110 |
-40 to 125 | -40 to 125 |
SOIC | SOIC |