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ISO5451 ISO5451 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有有源安全

数据:

描述

ISO5451是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增强型隔离栅极驱动器,具有2.5A的拉力电流能力和5A的灌电流能力。输入端由3V至5.5V的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为15V至30V。两路互补CMOS输入控制栅极驱动器输出状态.76ns的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和(DESAT)故障检测功能可识别IGBT何时处于过载状态。当检测到DESAT时,栅极驱动器输出会被拉低为V EE2 电势,从而将IGBT立即关断。

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以及输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT,输出电压会被硬钳位为V EE2 。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止IGBT在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY输出会变为低电平,否则该输出为高电平。

ISO5451采用16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+ 125°C。

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特性


  • 在V CM = 1500V时,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为50kV /μs,典型值为100kV /μs
  • 2.5A峰值拉电流和5A峰值灌电流
  • 短暂传播延迟:76ns(典型值),
    110ns (最大值)
  • 2A有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发​​出故障报警,并通过 RST 复位
  • 具有就绪(RDY)引脚指示的输入电压输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 3V至5.5V输入电源电压
  • 15V至30V输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容输入
  • 抑制短于20ns的输入脉冲和瞬态噪声
  • 工作环境温度范围:-40°C至+ 125°C
  • 可耐受的浪涌隔离电压高达10000 V PK
  • 安全相关认证:
    • 8000V PK V IOTM 和1420 V PK V IORM 增强型隔离,符合DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10):2006-12
    • 符合UL 1577且长达1分钟的5700V RMS 隔离
    • CSA组件验收通知5A,IEC 60950-1和IEC 60601-1终端设备标准
    • 符合EN 61010- 1和EN 60950-1标准的TUV认证
    • GB4943.1-2011 CQC认证

所有商标均为各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 隔离式栅极驱动器

 
Isolation Rating (Vrms)
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
Number of Channels (#)
Power Switch
Enable/Disable Function
Output VCC/VDD (Max) (V)
Output VCC/VDD (Min) (V)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Peak Output Current (A)
Prop Delay (ns)
Prop Delay (Max) (ns)
Operating Temperature Range (C)
Package Group
ISO5451 ISO5851
5700     5700    
8000     8000    
1420     2121    
1     1    
IGBT     IGBT    
N/A     N/A    
30     30    
15     15    
3     3    
5.5     5.5    
5     5    
76     76    
110     110    
-40 to 125     -40 to 125    
SOIC     SOIC    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 ISO5451 相关库存

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