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LM5104 具有自适应延迟的高电压半桥接闸极驱动器

数据:

描述

LM5104高压栅极驱动器设计用于在同步降压配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器可以使用高达100 V的电源电压。高侧和低侧栅极驱动器可通过单个输入进行控制。以适应性方式控制状态的每个变化以防止直通问题。除了自适应转换时序之外,还可以添加额外的延迟时间,与外部设置电阻成比例。提供集成的高压二极管,为高侧栅极驱动自举电容充电。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。该器件采用标准SOIC和WSON封装。

特性

  • 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
  • 具有可编程的自适应上升沿和下降沿< br>附加延迟
  • 单输入控制
  • 自举电源电压范围高达118 V DC
  • 快速关断传播延迟(典型值25 ns)
  • 以15 ns的上升和下降时间驱动1000 pF负载
  • 供电轨欠压锁定
  • SOIC和WSON-10 4 mm×4 mm封装

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
LM5104 LM5102 LM5105 SM74104
2     2     2     2    
MOSFET     MOSFET     MOSFET     MOSFET    
100     100     100     100    
2     2     1.8     1.8    
9     9     8     9    
14     14     14     14    
10     10     10     15    
10     10     10     15    
35     35     26     25    
10     10     10     10    
TTL     TTL     TTL     TTL    
TTL     TTL     TTL     TTL    
-1     -1     -1     -1    
N/A     N/A     N/A     N/A    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
SOIC
WSON    
VSSOP
WSON    
WSON     SOIC
WSON    

方框图 (3)

技术文档

数据手册(1)
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