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LM25101 3A、2A 和 1A 高压,高侧和低侧栅极驱动器

数据:

描述

LM25101高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET而设计。版本A提供高达3A的栅极驱动,而版本B和C分别提供2A和1A的栅极驱动。输出由TTL输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

这些器件采用标准8引脚SOIC,8引脚SO-PowerPAD,8引脚WSON,10引脚WSON以及8引脚MOSP PowerPAD封装。

特性

  • 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入
  • 自举电源电压高达100V DC
  • < li>可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)
  • 短暂传播时间(典型值为25ns)
  • 可以8ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为3ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 与HIP2100和HIP2101引脚兼容

应用

  • 由电机控制的驱动器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 同步降压转换器
  • 双开关正向电源转换器
  • 有源钳位正激转换器
  • 48V服务器电源
  • 太阳能DC-DC和DC-AC转换器

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
LM25101
2    
MOSFET    
100    
3    
9    
14    
8    
8    
22    
10    
TTL    
TTL    
-1    
N/A    
Catalog    
-40 to 125    
MSOP-PowerPAD
SO PowerPAD
SOIC
WSON    

技术文档

数据手册(1)
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