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数据: UCC27511A-Q1 具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流的单通道高速、低侧栅极驱动器 数据表 (Rev. A)
UCC27511A-Q1器件是紧凑型栅极驱动器,可为NPN和PNP离散驱动器(缓冲电路)解决方案提供高品质替代方案.UCC27511A- Q1器件是一款汽车应用级单通道低侧,高速栅极驱动器,适用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),绝缘栅极极晶体管(IGBT)和新上市的宽带隙电源器件(例如GaN UCD27511A-Q1器件具有快速上升时间,快速下降时间和快速传播延迟,因此非常适合高速应用。此器件采用非对称驱动,具有4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,从而提升了抗米勒接通效应能力。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节,并且无需使用外部二极管。
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Peak Output Current (A) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Rise Time (ns) |
Fall Time (ns) |
Prop Delay (ns) |
Input Threshold |
Channel Input Logic |
Input Negative Voltage (V) |
Features |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
UCC27511A-Q1 | UCC27517A | UCC27517A-Q1 | UCC27518A-Q1 | UCC27519A-Q1 | UCC27524A-Q1 | UCC27531-Q1 | UCC27532-Q1 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 | 1 | 1 |
MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT SiCFET | MOSFET IGBT SiCFET |
8 | 4 | 4 | 4 | 4 | 5 | 5 | 5 |
4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 10 | 10 |
18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 32 | 32 |
9 | 9 | 9 | 8 | 8 | 7 | 15 | 15 |
7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 6 | 7 | 7 |
13 | 13 | 13 | 17 | 17 | 13 | 17 | 17 |
CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS | CMOS | CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS |
Inverting Non-Inverting | Inverting Non-Inverting | Inverting Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting | Dual Non-Inverting | Non-Inverting Single | Single Non-Inverting |
-5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 |
Split Output | Hysteretic Logic | Hysteretic Logic | Enable Pin | Enable Pin | Enable Pin | Split Output | Split Output |
Automotive | Catalog | Automotive | Automotive | Automotive | Automotive | Automotive | Automotive |
-40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 140 | -40 to 125 | -40 to 140 |
SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOIC | SOT-23 | SOT-23 |