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UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

数据:

描述

UCC27712是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。

对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。

UCC27712包含保护功能,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。

该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件支持快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。

特性

  • 高侧和低侧配置
  • 双输入,带输出互锁和150ns死区时间
  • 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V
  • VDD建议范围为10V至20V
  • 峰值输出电流2.8A灌电流,1.8A拉电流
  • 50V /ns的dv /dt抗扰度
  • HS引脚上的逻辑运行电压高达-11V
  • 输入负电压容差为-5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供UVLO保护
  • 短传播延迟(典型值100ns)
  • 延迟匹配(典型值12ns)
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL和CMOS兼容输入
  • 行业标准SOIC-8封装
  • 所有参数额定温度范围:-40°C至+ 125°C

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
UCC27712 UCC27710 UCC27714
2     2     2    
MOSFET
IGBT    
MOSFET
IGBT    
MOSFET
IGBT    
620     620     600    
2.8     1.0     4    
10     10     10    
20     22     18    
16     35     15    
10     16     15    
100     100     90    
250     250     300    
TTL
CMOS    
TTL
CMOS    
TTL
CMOS    
Non-Inverting     Non-Inverting     Non-Inverting    
-11     -11     -8    
Interlock     Interlock     N/A    
Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
SOIC     SOIC     SOIC    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 UCC27712 相关库存