UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

UCC27511特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN-引脚）和非反相（IN +引脚）配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路，此逻辑电路是固定的且与V _DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。

UCC27511和UCC27512提供4A拉电流，8A灌电流（非对称驱动）峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生，米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置，其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出，通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚上使用独立的接通和关断电阻，并且能轻松控制开关转换率。

UCC27511和UCC27512具有4.5V至18V的宽V _DD 范围，以及-40°C至140°C的宽温度范围.V _DD 引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路可在超出V _DD 运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低压（例如低于5V）下运行，并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如氮化镓功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。