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UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

数据:

描述

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。

片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。

提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。

两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。

对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。

特性

  • 符合汽车应用要求
  • AEC-Q100符合以下结果:
    • 设备温度等级1:
      -40°C至125°C环境工作温度范围
    • 器件HBM ESD分类等级2
    • 器件CDM ESD分类等级C5
  • 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET
  • 最大启动电压:120 V
  • 最大V DD < /sub>电压:20 V
  • 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管
  • 大于1 MHz的工作
  • 20- ns传播延迟时间
  • 3-A漏极,3A源输出电流
  • 8-ns上升和7-ns下降时间,1000-pF负载
  • 1 ns延迟匹配
  • 指定-40°C至140°C(结温)

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
UCC27200-Q1 UCC27201A-Q1
2     2    
MOSFET     MOSFET    
110     110    
3     3    
8     8    
17     17    
8     8    
7     7    
20     20    
1     1    
CMOS     CMOS    
CMOS     TTL    
-5     -15    
N/A     Negative Voltage Handling    
Automotive     Automotive    
-40 to 125     -40 to 125    
SO PowerPAD     SO PowerPAD
VSON    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 UCC27200-Q1 相关库存