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数据: UCC27517A-Q1 具有负输入电压能力的单通道高速低侧栅极驱动器(具有 4A 峰值拉/灌电流) 数据表 (Rev. B)
UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。
UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。
当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。
UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
所有商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Peak Output Current (A) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Rise Time (ns) |
Fall Time (ns) |
Prop Delay (ns) |
Input Threshold |
Channel Input Logic |
Input Negative Voltage (V) |
Features |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
UCC27517A-Q1 | UCC27511A-Q1 | UCC27517A | UCC27518A-Q1 | UCC27519A-Q1 | UCC27524A-Q1 | UCC27531-Q1 | UCC27532-Q1 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 | 1 | 1 |
MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT GaNFET | MOSFET IGBT SiCFET | MOSFET IGBT SiCFET |
4 | 8 | 4 | 4 | 4 | 5 | 5 | 5 |
4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 10 | 10 |
18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 32 | 32 |
9 | 9 | 9 | 8 | 8 | 7 | 15 | 15 |
7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 6 | 7 | 7 |
13 | 13 | 13 | 17 | 17 | 13 | 17 | 17 |
CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS | CMOS | CMOS TTL | CMOS TTL | CMOS |
Inverting Non-Inverting | Inverting Non-Inverting | Inverting Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting | Dual Non-Inverting | Non-Inverting Single | Single Non-Inverting |
-5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 | -5 |
Hysteretic Logic | Split Output | Hysteretic Logic | Enable Pin | Enable Pin | Enable Pin | Split Output | Split Output |
Automotive | Automotive | Catalog | Automotive | Automotive | Automotive | Automotive | Automotive |
-40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 140 | -40 to 125 | -40 to 140 |
SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOIC | SOT-23 | SOT-23 |