SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器，用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ，单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。

三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。

可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存状态，直到锁存使能输入返回高电平为止。

B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流，包括等效的25系列电阻，以减少过冲和下冲。

提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。

当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。

SN54ABTH162260的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABTH162260的工作温度范围为-40°C至85°C。

• 德州仪器WidebusTM系列的成员
• B端口输出具有等效的25系列电阻，因此无需外部电阻
• 最新技术EPIC -IIBTMBiCMOS设计显着降低功耗
• ESD保护每MIL-STD超过2000 V -883，方法3015;使用机器型号超过200 V（C = 200 pF，R = 0）
• 每个JEDEC标准JESD-17的闩锁性能超过500 mA
• 典型VOLP（输出接地反弹）＆lt; 1 V在VCC= 5 V，TA= 25°C
• 上电和掉电期间的高阻抗状态
• 分布式VCC和GND引脚配置可最大限度地降低高速开关噪声
• 流通式架构优化PCB布局
• 数据输入的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
• 封装选项包括塑料300密耳收缩小外形（DL）封装和380密耳精细间距陶瓷扁平（WD）封装，使用25密耳的中心到中心 

  Widebus和EPIC-IIB是德州仪器公司的商标。< /small>