LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

描述

LMG341xR070 GaN功率级集成了驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。 LMG341x相对于硅MOSFET的固有优势包括超低输入和输出电容，零反向恢复，可将开关损耗降低多达80％，以及低开关节点振铃以降低EMI。这些优势可实现密集且高效的拓扑结构，如图腾柱PFC。

LMG341xR070通过集成一系列独特功能简化设计，最大限度地提高可靠性并优化性能，为传统共源共栅GaN和独立GaN FET提供了智能替代方案。任何电源。集成门驱动器可实现100V /ns切换，并且零Vds振铃，<100 ns电流限制可自我保护，防止意外射击，过温关闭可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。

特性

• TI GaN工艺通过加速可靠性应用硬切换任务配置文件进行认证
• 实现高密度电源转换设计< ul>
• 在共源共栅或独立GaN FET上具有出色的系统性能
• 低电感8mm x 8mm QFN封装，易于设计和布局
• 可调节驱动强度，实现开关性能和EMIControl
• 数字故障状态OutputSignal
• 仅+12 V未调节SupplyNeeded

集成门驱动器

• 零公共源电感
• 20 ns MHz操作的传播延迟
• 可靠性的工艺调谐栅极偏置电压
• 25至100V /ns用户可调节斜率

强健保护

• 不需要外部保护组件
• 过度保护<100ns响应
• ＆gt ; 150V /ns漏电率抗扰度
• 瞬态过电压免疫
• 过温保护
• 所有SupplyRails上的UVLO保护

Device Options

:

• LMG3410R070

  : LatchedOvercurrent Protection

• LMG3411R070

  :Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

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参数 与其它产品相比 GaN FET功率级

  Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   LMG3411R070 LMG3410R050 LMG3410R070 20     20     20     Catalog     Catalog     Catalog     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     VQFN | 32     VQFN | 32     VQFN | 32     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32)     无样片

方框图

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  LMG3411R070 - 功能方框图