描述
LMG3410R050 GaN功率级集成了驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。 LMG3410与硅MOSFET相比具有固有的优势,包括超低输入和输出电容,零反向恢复,可将开关损耗降低多达80%,以及低开关节点振铃,从而降低EMI。这些优势可实现密集且高效的拓扑结构,如图腾柱PFC。
LMG3410R050通过集成一系列独特功能简化设计,最大限度地提高可靠性并优化性能,为传统共源共栅GaN和独立GaN FET提供了智能替代方案。任何电源。集成门驱动器可实现100V /ns切换,并且零Vds振铃,<100 ns电流限制可自我保护,防止意外射击,过温关闭可防止热失控,系统接口信号提供自我监控功能。
特性
- TI GaN工艺通过加速可靠性应用硬切换任务配置文件进行认证
- 实现高密度电源转换设计< ul>
- 在共源共栅或独立GaN FET上具有出色的系统性能
- 低电感8mm x 8mm QFN封装,易于设计和布局
- 可调节驱动强度,实现开关性能和EMIControl
- 数字故障状态OutputSignal
- 仅+12 V未调节SupplyNeeded
集成门驱动器 - 零公共源电感
- 20 ns MHz操作的传播延迟
- 可靠性的工艺调谐栅极偏置电压
- 25至100V /ns用户可调节斜率
鲁棒保护 - 无需外部保护组件
- 过度保护,<100ns响应
- &gt; 150V /nsSlew速率抗扰度
- 瞬态过电压免疫
- 过温保护
- U所有SupplyRails上的VLO保护
所有商标均为其各自所有者的财产。
参数 与其它产品相比 GaN FET功率级
Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) LMG3410R050 LMG3410R070 LMG3411R070 LMG5200 20 20 20 29.5 Catalog Catalog Catalog Catalog -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 VQFN | 32 VQFN | 32 VQFN | 32 QFM | 9 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) See datasheet (QFM)
方框图
- LMG3410R050 - 功能方框图