描述
这种四二极管阵列设计用于通用单独二极管或高速大电流桥。它对高速功率MOSFET驱动器的输出特别有用,其中需要肖特基二极管来钳制由驱动线上的振铃引起的任何负偏移。这些二极管也非常适合用作驱动感性负载(如继电器)时的电压钳通过降低正向压降和缩短反向恢复时间,肖特基二极管技术的使用具有高效率。这种单片单芯片采用密封CERDIP和铜制造,可用于电机驱动应用中的电流续流路径。 - 塑料包装。 UC1611采用陶瓷设计,适用于-55°C至125°C环境,但峰值电流能力较低:塑料UC3611在0°C至70°C环境温度范围内具有较高的额定电流。
< H2>特性
- Matched, Four-Diode Monolithic Array
- High Peak Current
- Low-Cost MINIDIP Package
- Low-Forward Voltage
- Parallelable for Lower VF or Higher IF
- Fast Recovery Time
- Military Temperature Range Available
参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管
Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) UC3611 UC1611 Catalog Military 0 to 70 -55 to 125 PDIP | 8
SOIC | 16 CDIP | 8
LCCC | 20 See datasheet (PDIP)
16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3 (SOIC | 16) See datasheet (CDIP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89 (LCCC | 20) 无样片