描述
DRV8343-Q1器件是用于三相应用的集成栅极驱动器。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器均可驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。专用的源极和漏极引脚可实现独立的MOSFET控制,适用于电磁阀应用。 DRV8343-Q1使用用于高端MOSFET的集成电荷泵和用于低端MOSFET的线性稳压器产生正确的门驱动电压。智能门驱动架构支持峰值栅极驱动电流,最高可达1A源和2-A。 DRV8343-Q1可以采用单电源供电,支持栅极驱动器5.5至60 V的宽输入电源范围。
6x,3x,1x和独立输入PWM模式允许简单接口控制器电路。栅极驱动器和器件的配置设置可通过SPI或硬件(H /W)接口进行高度配置。 DRV8343-Q1器件集成了三个低端电流检测放大器,可在驱动级的所有三相上实现双向电流检测。
提供低功耗休眠模式以实现低静态电流。内部保护功能用于欠压锁定,电荷泵故障,MOSFET过流,MOSFET短路电路,相节点供电和接地短路,栅极驱动器故障和过热。 nFAULT引脚上指示故障条件,详细说明了SPI设备变体的器件寄存器。
特性
- AEC-Q100符合汽车应用要求
- 温度等级1:-40°C≤T A ≤125°C
- HBM ESD分类等级2
- 三重半桥栅极驱动器
- 专用源(SHx)和漏极(DLx)引脚支持独立MOSFET控制
- 驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET(NMOS)
- 智能栅极驱动架构
- 可调节摆率控制
- 1.5 mA至1 A峰值源电流
- 3 mA至2 A峰值灌电流
- 集成栅极驱动器电源
- 支持100%PWM占空比
- 高侧充电泵
- 低侧线性稳压器
- 3个集成电流检测放大器(CSA)
- 可调增益(5,10,20,40 V /V)
- 双向或单向支持
- SPI和硬件接口可用
- 6x,3x,1x和独立PWM模式
- 支持3.3-V,a和5 V逻辑输入
- 电荷泵输出可用于驱动反向电源保护MOSFET
- 线性稳压器,3.3 V,30 mA
- 集成保护功能
- VM欠压锁定(UVLO)
- 电荷泵欠压(CPUV)
- 电池短路(SHT_BAT)
- 接地短路(SHT_GND)
- MOSFET过流保护(OCP)
- 栅极驱动故障(GDF)
- 热警告和关机(OTW /OTSD)
- FaultCondition指标(nFAULT)
所有商标均为其各自所有者的财产。
参数 与其它产品相比 无刷直流 (BLDC) 电机驱动器
Rating Control method Architecture Gate drive (A) Vs (Min) (V) Vs ABS (Max) (V) Control I/F Operating temperature range (C) Package Group Approx. price (US$) DRV8343-Q1 DRV8305-Q1 Automotive Automotive External Control
Trapezoidal Control External Control Gate Driver Gate Driver 1 5.5 4.4 65 45 6xPWM
3xPWM
1xPWM 6xPWM
3xPWM
1xPWM -40 to 125 -40 to 125
-40 to 150 HTQFP | 48 HTQFP | 48 2.65 | 1ku
方框图
- DRV8343-Q1 - 功能方框图