UCC21732-Q1 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和 CMTI 的汽车单通道隔离式栅极驱动器

描述

UCC21732-Q1是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能，同类最佳的动态性能和鲁棒性。

输入侧采用SiO ₂ 电容隔离技术与输出侧隔离，支持高达1.5 kV _RMS 工作电压，12.8-kV _PK 浪涌抗扰度超过40年隔离屏障寿命，以及提供低部件间偏斜和高CMTI。

特性

• 单通道SiC /IGBT隔离式栅极驱动器
• AEC-Q100适用于汽车应用（计划资格）
• SiC MOSFET和IGBT高达1700 V
• 33 V最大输出驱动电压（VDD-COM）
• 高峰值驱动电流和高CMTI
< li>活动密勒夹具
• UVLO，RDY上的电源良好
• 小传播延迟和脉冲/部件偏斜
• 工作温度范围-40°C至125°C
• 安全相关认证（计划）：
  • 8000-V _PK V _IOTM 和212-1-V _PK V _IORM 根据DIN V VDE增强隔离V0884-11（VDE V 0884-11）：2017-01
  • 5700-V _RMS 隔离1分钟/UL1577

所有商标均为其各自的商标。拥有者。

参数 与其它产品相比 隔离栅极驱动器

  Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group   UCC21732-Q1 ISO5451-Q1 ISO5452-Q1 ISO5851-Q1 ISO5852S-Q1 5700     5700     5700     5700     5700     8400     8000     8000     8000     8000     2121     1420     1420     2121     2121     1     1     1     1     1     IGBT, SiCFET     IGBT     IGBT
SiCFET     IGBT     IGBT
SiCFET                         33     30     30     30     30     13     15     15     15     15     3     3     2.25     3     2.25     5.5     5.5     5.5     5.5     5.5     10     5     5     5     5     90     76     76     76     76     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16