描述
TLV313-Q1单通道运算放大器低功耗与良好的性能于一体。这使得器件非常适用于各种应用,如信息娱乐,引擎控制单元,汽车照明等。该器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值:65μA),高带宽(1MHz)以及超低噪声(1kHz时为26nV /√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电应用而言非常具有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适合用于源阻抗高达兆欧级的应用。
TLV313-Q1的稳健耐用设计便于电路设计人员使用。该器件在高达100pF的容性负载条件下单位增益稳定并集成了RFI /EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电(ESD)保护功能(4kV人体模型(HBM))。
此类经过优化,适合在低至1.8V(±0.9V)和高达5.5V(±2.75V)的低压下工作,额定扩展工作温度范围为结果,-40°C至+ 125℃。
单通道TLV313-Q1器件采用..
特性
- 符合汽车类应用的 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 面向成本敏感型系统的精密放大器
- 低 IQ:每通道 65µA
- 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
- 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
- 增益带宽:1MHz
- 轨到轨输入/输出
- 低输入偏置电流:1pA
- 低失调电压:0.75mV
- 单位增益稳定
- 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
- 工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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参数 与其它产品相比 通用 运算放大器
Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew Rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features Input bias current (Max) (pA) CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture TLV2313-Q1 OPA2313-Q1 TLV313-Q1 2 2 1 1.8 5.5 1 1 1 0.5 0.5 0.5 In
Out In
Out In
Out 3 2.5 3 0.065 0.05 0.065 26 25 26 Automotive Automotive Automotive -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 SOIC | 8
VSSOP | 8 SOIC | 8
VSSOP | 8 SC70 | 5 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) 5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2 (SC70 | 5) 2 2 2 Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size EMI Hardened
Small Size Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size 10 85 80 85 15 15 15 CMOS CMOS CMOS 无样片
方框图
- TLV2313-Q1 - 功能方框图