ADRF5132 0.7 GHz至5.0 GHz高功率、20 W峰值、硅SPDT、反射式开关

优势和特点

反射式 50 Ω 设计
低插入损耗：典型值0.6 dB（2.7 GHz）
T_CASE = 105°C 时高功率处理能力
- 长期（使用寿命>10 年）
  - 峰值功率：43 dBm
  - CW功率：38 dBm
  - LTE平均功率 (8 dB PAR)：35 dBm
单次事件（工作时间<10 秒）
- LTE平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
高线性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：65 dBm（典型值，2.0 GHz至4.0 GHz时）
ESD 额定值
- HBM：2 kV，2 级
- CDM：1.25 kV
单正电源：5 V
正控制，CMOS/TTL 兼容
16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装

产品详情

ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz、单刀双掷(SPDT)反射式开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5132具有35 dBm LTE（在105°C时的平均典型值）高功率处理能力、0.6 dB (2.7 GHz)低插入损耗、65 dBm（典型值）输入3阶交调点和42.5 dBm的0.1 dB压缩(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型电源电流为1.1 mA（典型值），使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件提供符合RoHS标准的紧凑型16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装。