ADG1219 低电容、低电荷注入、±15 V/12 V iCMOS® 单刀双掷开关，采用SOT-23封装

优势和特点

电荷注入：小于0.5 pC（整个信号范围内）
2.5 pF关断电容
低泄漏：0.6 nA（最大值，85°C）
导通电阻：120 Ω

额定电源电压：+12 V、±15 V
无需VL电源
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
8引脚SOT-23封装

产品详情

ADG1219是一款单芯片iCMOS®器件，内置单刀双掷（SPDT）开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。每个开关均为先开后合式。

iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

这些多路复用器具有超低电容和极低的电荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。图2显示，在器件的整个信号范围内电荷注入极小。同时，iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

音频/视频信号路由

通信系统

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