ADG636 1 PC电荷注入、100 PA泄露、CMOS、±5 V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关

优势和特点

ADG636是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为10 pA。此外，它的典型导通电阻为85 Ω，两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关，采用14引脚TSSOP封装。

1. 超低电荷注入。QINJ：±1.5 pC（典型值，整个信号范围）
2. 漏电流<0.25 nA（最大值，85ºC）
3. 双电源（±2.7 V至±5 V）或单电源（+2.7 V至+5.5 V）供电
4. 汽车应用温度范围：−40°C至+125°C
5. 小型14引脚TSSOP封装

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数据手册（1）

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