ADG419 LC2MOS 精密模拟开关，采用小型DIP封装

优势和特点

• 最大额定电源电压：44 V
• 模拟信号范围：V_SS 至 V_DD
• 低导通电阻：<35 Ω
• 超低功耗：< 35 μW
• 快速转换时间：160 ns（最大值）
• 先开后合式开关动作
• DG419的直接替代产品

ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。

• 下载ADG419-EP 数据手册(pdf)
• 军用温度范围：-55℃至+125℃
• 受控制造基线
• 唯一封装/测试厂
• 唯一制造厂
• 增强型产品变更通知
• 认证数据可应要求提供
• V62/10615 DSCC图纸号

产品详情

ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。

ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。

接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。ADG419为先开后合式开关。

ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。

应用

方框图