HMC815B GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz

优势和特点

转换增益：12 dB（典型值）
边带抑制：20 dBc（典型值）
OP1dB压缩：20 dBm（典型值）
OIP3：27 dBm（典型值）
2× LO至RF隔离：10 dB（典型值）
2× LO至IF隔离：15 dB（典型值）
RF回波损耗：12 dB（典型值）
LO回波损耗：15 dB（典型值）

IF回波损耗：15 dB（典型值）
裸露焊盘、4.90 mm × 4.90 mm、32引脚、陶瓷LCC封装

产品详情

HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。

HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。如有需要，还可提供HMC815B评估板。

应用