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ADMV1012 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。
ADMV1012提供15 dB的转换增益、25 dB的镜像抑制性能和2.5 dB噪声指数。ADMV1012采用射频(RF)低噪声放大器(LNA),后接由驱动放大器驱动集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。它具有IF1和IF2正交混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。
I/Q 混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。ADMV1012为混合型DSB下变频器的小型替代器件,无需线焊,可以使用表贴制造装配。
ADMV1012 下变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装。ADMV1012工作温度范围为−40°C至+85°C。
应用