HMC787A GaAs MMIC基波混频器，3 - 11 GHz

优势和特点

转换损耗：典型值9 dB（3 GHz至9 GHz时）
本振(LO)至射频(IF)隔离：典型值43 dB（3 GHz至9 GHz时）
RF至中频(IF)隔离：典型值26 dB（3 GHz至9 GHz时）
输入三阶交调截点(IP3)：典型值24 dBm（3 GHz至9 GHz时）
输入1 dB压缩点(P1dB)：典型值17 dBm（3 GHz至9 GHz时）
输出二阶交调截点(IP2)：典型值67 dBm（3 GHz至9 GHz时）
无源双平衡拓扑结构
宽IF频率范围：DC至4 GHz
12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

产品详情

HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。