HMC219B 2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器

优势和特点

转换损耗：9 dB（典型值）
LO至RF隔离：40 dB（典型值）
LO至IF隔离：35 dB（典型值）
RF至IF隔离：22 dB（典型值）
输入IP3：18 dBm（典型值）
输入P1dB：11 dBm（典型值）
输入IP2：55 dBm（典型值）
无源双平衡拓扑结构
8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装

产品详情

HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。

HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。