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在850 MHz/900 MHz接收应用中,ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平,对于大多数应用,其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm,输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度,因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时,需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。
借助单端宽带RF/IF端口,该器件能够利用简单的外部滤波器网络,针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离,详情参见本数据手册的应用信息部分。
ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造,提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C,同时提供评估板。
应用
数据手册,Rev. 0,2/08