HMC292A-DIE 14 GHz至32 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器
数据:
HMC292A-Die产品技术英文资料手册
优势和特点
- 无源: 无需直流偏置
- 转换损耗(下变频器):9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- 单边带噪声指数:11 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- 输入IP3(下变频器):20 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- 输入P1dB压缩点(下变频器):12 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- 输入IP2:53 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- RF至IF隔离:30 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- LO至RF隔离:46 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- LO至IF隔离:34 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- RF回波损耗:10 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- LO回波损耗:9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz时)
- 宽IF频率范围:DC至8 GHz
- 小尺寸:7焊盘裸片[芯片]
产品详情
HMC292A芯片是一款微型、无源、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器,可用作14 GHz至32 GHz RF频率范围内的上变频器或下变频器,芯片面积较小。片内巴伦提供出色的隔离性能,无需外部元件和直流偏置。所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm(0.003英寸)、最小长度小于0.31 mm(小于0.012英寸)的焊线连接。
应用
- 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
- 测试设备
- 点对点无线电
- 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
方框图