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ADRF6614是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。ADRF6614利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现700 MHz至3000 MHz 宽带RF带宽。与窄带正弦波LO放大器解决方案不同,LO可用于高于或低于RF输入的宽带宽。LO放大器不需要储能元件,因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。
ADRF6614利用高线性度的双重平衡无源混频器内核以及集成式RF和LO平衡电路实现单端操作。集成式RF巴伦可在700 MHz至3000 MHz RF输入频率范围内提供最佳性能。平衡无源混频器配置能够在整个RF带宽内提供出色的LO至RF和LO至IF泄漏、出色的RF至IF隔离以及出色的交调性能。
平衡混频器内核提供极高的输入线性度,使该器件能用在要求苛刻的宽带应用中。对于这些应用,如果输入线性度不高,带内阻塞信号可能会导致动态范围降低。阻塞条件下的噪声性能与窄带无源混频器设计相当。高线性度中频缓冲放大器紧跟在无源混频器内核之后,可提供9.0 dB的典型功率转换增益,并且可以与各种输出阻抗相匹配。
PLL架构支持整数N分频和小数N分频操作,采用12 MHz至320 MHz范围内的任意外部参考输入频率均能产生200 MHz至2700 MHz的整个LO频率范围。外部环路滤波器提供相位噪声与采集时间权衡取舍的灵活性。为减少小数N分频模式下的小数杂散,使用Σ-Δ调制器控制后VCO可编程分频器。该器件集成六个VCO内核,其中四个内核提供完整的200 MHz至2700 MHz频率覆盖范围,并在800 MHz至900 MHz频段范围内满足GSM相位噪声要求。两个额外的仅GSM内核使ADRF6614在数字蜂窝系统1800 MHz (DCS1800)和个人通信服务1900 MHz (PCS1900)频段下满足GSM相位噪声要求。
ADRF6614的所有功能都通过一个3线SPI进行控制,由此可实现最佳性能,所需外部元件最少。
ADRF6614采用BiCMOS、高性能IC工艺制造。提供7 mm × 7 mm、48引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。同时提供评估板。