ADRF5730 0.5 dB LSB、6位硅数字衰减器，100 MHz至40 GHz

优势和特点

• 超宽带频率范围：100 MHz至 40 GHz
• 衰减范围：0.5 dB 步进至 31.5 dB
• 具有阻抗匹配的低插入损耗
  • 2.1 dB，最高为 18 GHz
  • 2.9 dB，最高为 26 GHz
  • 4.8 dB，最高为 40 GHz
• 具有阻抗匹配的衰减精度
  • ±（0.10+1.0% 的衰减状态），最高 18 GHz
  • ±（0.15+0.8% 的衰减状态），最高 26 GHz
  • ±（0.35+2.5% 的衰减状态），最高 40 GHz
• 具有阻抗匹配的典型步进误差
  • ± 0.18 dB，最高为 18 GHz
  • ± 0.23 dB，最高为 26 GHz
  • ± 0.51 dB，最高为 40 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB 插入损耗状态：30 dBm
  • P0.1dB 其他衰减状态：27 dBm
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高RF输入功率处理：27 dBm 平均值，30 dBm 峰值
• 相对相位中的紧凑分布
• 无低频开关杂散
• SPI 和并行模式控制，CMOS / LVTTL 兼容
• RF建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：250 ns
• 24 引脚、4 mm × 4 mm LGA 封装
• 与 ADRF5720 引脚兼容，低频截止版本

产品详情

ADRF5730 是一款硅、6 位数字衰减器，以 0.5 dB 步长提供 31.5 dB 的衰减控制范围。

该器件的工作频率范围为 100 MHz 至 40 GHz，提供优于 4.8 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下，ADRF5730 具有 27 dBm（平均值）和 30 dBm（峰值）的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5730 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5730 与 ADRF5720（低频截止版本）引脚兼容，工作频率范围为 9 kHz 至 40 GHz。

ADRF5730 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于宽带应用，RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。

ADRF5730 采用符合 RoHS 标准的 24 引脚、4 mm × 4 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

方框图