LTC4229 理想二极管和热插拔控制器

优势和特点

用于冗余电源的理想二极管和浪涌电流控制
功率肖特基二极管的低损耗替代方案
可保护输出电压免受输入欠压的影响
允许在带电背板上安全地进行热插拔操作
2.9V 至 18V 工作范围
可控制背对背 N 沟道 MOSFET
可在 ≤1μs 的时间里实现对峰值故障电流的限制
具折返的可调电流限值
可调的启动和电流限制故障延迟
0.5μs 的理想二极管接通和关断时间
欠压和过压保护
状态、故障和电源良好输出
在发生故障之后执行锁断或自动重试操作 (可通过引脚来选择)
24 引脚 4mm x 5mm QFN 封装和 SSOP 封装

产品详情

LTC^®4229 通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap^™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 取代了一个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔MOSFET 控制通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作折返电流限制和电子电路断路器对电源输出提供了针对短路故障的保护。

LTC4229 可调节外部 MOSFET 两端的正向压降，以确保在二极管“或”应用中实现平滑的电流转移。理想二极管快速接通以减小电源切换期间的负载电压降。倘若输入电源发生故障或者短路，则快速关断能够最大限度地减小反向瞬态电流。

LTC4229 提供了可调启动延迟、欠压和过压保护，并可报告电源的故障及良好运行状态。该器件可配置为在遇到故障之后执行锁断或自动重试操作。