LTC4359 具反向输入保护功能的理想二极管控制器

优势和特点

• 通过取代功率肖特基二极管降低了功率耗散
• 宽工作电压范围：4V 至 80V
• 反向输入保护至 –40V
• 9μA 的低停机电流
• 150μA 的低工作电流
• 无振荡的平滑切换
• 控制单个或背对背的 N 沟道 MOSFET
• 采用 6 引脚 (2mm x 3mm) DFN 封装和 8 引脚 MSOP 封装
  

产品详情

LTC^®4359 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。

当在高电流二极管应用中使用时，LTC4359 可减低功耗、热耗散、电压损耗和 PC 板占用面积。凭借其宽工作电压范围、反向输入电压承受能力和高额定温度，LTC4359 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。另外，LTC4359 还能容易地在具有冗余电源的系统中对电源进行 “或” 操作。

Applications

• 汽车电池保护
• 冗余电源
• 电源保持
• 电信基础设施
• 计算机系统 / 服务器
• 太阳能系统
  

方框图