LT1162 半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

优势和特点

工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
可把顶端N沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV电源电压
180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护
TTL/CMOS 输入电平
具迟滞的欠压闭锁
工作电源电压范围：10V 至 15V
单独的顶端和底端驱动引脚

产品详情

LT^®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。
内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。
在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。
LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚 PDIP 或24 引脚 SO 宽体封装。