LT1158 半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

优势和特点

可将上端 MOSFET 的栅极驱动至高于 V+
工作电源电压范围从 5V 至 30V
150ns 转换时间 (驱动 3000pF 容性负载)
峰值驱动器电流超过 500mA
自适应非重叠栅极驱动
连续电流限制保护功能
自动停机和重试能力
内部充电泵用于 DC 操作
内置栅极电压保护电路
与电流检测 MOSFET 兼容
TTL/CMOS 输入电平
故障输出指示

产品详情

LT^®1158 上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。
LT1158 中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET V_DS 不超过 1.2V 即可。通过使 FAULT 故障输出返回至使能输入，LT1158 将在发生故障时自动关断，并在一个内部上拉电流完成对使能电容器的再充电时执行重试操作。
一个片内充电泵在需要的时候接入，以连续接通上端 N 沟道 MOSFET。该器件内置的特殊电路可确保上端栅极驱动器在 PWM 和 DC 操作之间的切换过程中得到安全的保护。当工作于较高的电源电压条件下时，在内部将栅极至源极电压限制为 14.5V。