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AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。
AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。
基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低嵌入式齐纳二极管产生的噪声电平。
AD587推荐用作需要外部精密基准电压源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准电压源。该器件也非常适合最高14位精度的逐次逼近型或集成式ADC,而且其性能通常优于标准片内基准电压源。
AD587J和AD587K的额定工作温度范围为0°C至70°C,AD587U则为−55°C至+125°C。AD587JQ和AD587UQ提供8引脚CERDIP封装,其它型号提供8引脚SOIC封装(适合表贴应用)或8引脚PDIP封装。
产品聚焦
数据手册, Rev. H, 9/07