ADR434 超低噪声、4.096V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

数据：

优势和特点

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）
无需外部电容
低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值）
负载调整率： 15 ppm/mA
线性调整率： 20 ppm/V
欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR434-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

下载 ADR434-EP数据手册 (pdf)
军用温度范围（−55 ℃至+125 ℃）
受控制造基线
唯一封装/测试厂
唯一制造厂
增强型产品变更通知
认证数据可应要求提供

产品详情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET^®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。