DTC114EE NPN双极数字晶体管（BRT）

产品信息

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。 BRT通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。简化电路设计减少电路板空间减少元件数量适用于汽车和其他应用的S和NSV前缀，需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力这些器件不含Pb，不含卤素/ BFR，符合RoHS标准

技术文档

数据手册（1）相关资料（6）

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型号：DTC114EE 封装：SOT-523-3

品牌：YANGJIE 描述：带预偏置三极管 SOT523 NPN Io=100mA P=150mW

金额：￥0.10000
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带预偏置三极管

型号：DTC114EE 封装：SOT-523-3

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金额：￥0.07392
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带预偏置三极管

型号：DTC114EE 封装：SOT-523-3

品牌：CBI 描述： SOT523 100mA 150mW

金额：￥0.05750
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通用三极管

型号：DTC114EE 封装：SOT-523-3

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金额：￥0.06798
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