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特性
具有35kV /μs共模抑制特点的高抗噪能力
保证工作温度范围为-40°C至100°C
为中等功率的MOSFET / IGBT提供最低3A的峰值输出电流
快速开关速度
210ns（最大值）传播延迟
65ns（最大值）脉宽失真度
快速输出上升/下降时间
提供较低的动态功耗
250kHZ最大开关速度广泛的V
CC _{工作电压范围}，从15V至30V
使用P沟道MOSFET作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨道到轨输出）
带滞后的欠压闭锁保护（UVLO） - 优化用于驱动IGBT
安全和法规认证
1分钟UL1577,3,750 VAC _RMS
最小爬电距离为8.0mm
IEC60747-5-2,1,414峰值工作绝缘电压（待审批）
最小绝缘厚度为0.5mm
最小爬电距离8.0mm（选项T ）

特性

应用
AC-DC商用电源发电和配电工业级电机不间断电源

应用

FOD3184 输出电流为3A的高速MOSFET / IGBT栅极驱动光耦合器