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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGA6530WDF 650 V 30 A场截止沟道IGBT

数据：数据表：FGA6530WDF - 650 V，30 A场截止沟槽IGBT

Fairchild的场截止第3 代IGBT新系列采用创新型场截止IGBT技术，为低导通和开关损耗的焊接应用提供最优性能。

特性
最大结温：T _J = 175°C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压：V _CE（sat） = 1.8 V（典型值）@ I _C = 30 A
I _LM（1）部件100 ％检测
高输入阻抗
快速开关
紧密的参数分布
符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

数据表：FGA6530WDF - 650 V，30 A场截止沟槽IGBT

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