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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGA30N65SMD 650 V 30 A 场截止IGBT

数据：数据表：FGA30N65SMDCN-D.pdf

飞兆半导体的场截止第二代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术，为太阳能逆变器，UPS，焊机，感应加热，通讯，ESS和PFC等低传导和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性
最大结温：T _J = 175 ^o C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压：V _CE（sat） = 1.98 V（典型值）@ I _C = 30
快速开关
紧密的参数分布
符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

数据表：FGA30N65SMDCN-D.pdf

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