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FGA20N120FTD 1200V 20A 场截止沟道IGBT

数据:

飞兆半导体的1200V沟道IGBT系列采用先进的场截止沟道技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能​​。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
特性
  • 场截止沟道技术
  • 高速开关
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 1.6V @ I C = 20A
  • 高输入阻抗
  • 符合RoHS标准
应用
  • 消费型设备

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(3)
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