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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGA30T65SHD 650 V 30 A场截止沟道IGBT

数据：数据表：FGA30T65SHD - 650 V，30 A场截止沟槽IGBT

Fairchild的场截止第三代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术，为光伏逆变器，UPS，焊机，通讯，ESS和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性
最大结温：T _J = 175°C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压：V _{CE（sat ）} = 1.6 V（典型值）@ I _C = 30 A
部件100％经过I _LM（1）检测
高输入阻抗
快速开关
紧密的参数分布
符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（6）

数据表：FGA30T65SHD - 650 V，30 A场截止沟槽IGBT

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