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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FDV301N N沟道数字FET

数据： FDV301Ndatasheet.pdf

产品信息

此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏压电阻，这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

25 V，0.22 A持续电流，0.5 A峰值电流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
使用一个DMOS FET代替多个NPN数字晶体管。

技术文档

数据手册（1）相关资料（8）

FDV301Ndatasheet.pdf

元器件购买 FDV301N 相关库存

MOSFETs

型号：FDV301N 封装：SOT-23

品牌：VBsemi 描述：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

金额：￥0.22940
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MOSFETs

型号：FDV301N 封装：SOT-23

品牌：ON 描述：MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23

金额：￥0.16480
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MOSFETs

型号：FDV301N-VB 封装：SOT-23

品牌：VBsemi 描述：MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

金额：￥0.20909
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