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FDS8984_F085 30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平

数据:

产品信息

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 r
和高速开关进行了优化。
  • 最大 r
  • = 23 mΩ、V
  • = 10 V、I
  • = 7 A
  • V
  • = 4.5V,ID = 6A时,最大r
  • = 30m
  • 低栅极电荷
  • 100%经过RG测试
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

技术文档

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