FDP4D5N10C N通道屏蔽栅极PowerTrench

这款N沟道MV MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产，采用屏蔽栅极技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低通态电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 最大RDS（on）=4.5mΩ，VGS = 10 V，ID = 128 A < / li> 用于极低RDS（on）的高性能沟槽技术 极低的反向恢复电荷，Qrr 低栅极电荷，QG = 48nC（典型值）< / li> 高功率和电流处理能力 100％UIL测试 符合RoHS标准