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FDWS9509L_F085 P沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET

数据:

产品信息

FDWS9509L_F085 典型RDS(on)=6.3mΩ,VGS = -10V,ID = -65 A 典型Qg(tot)= 48 nC,VGS = -10V,ID = -65 A UIS能力 符合RoHS标准 符合AEC Q101要求 可湿性侧翼用于自动光学检测(AOI)