FDMF6824C 超小型 高性能 高频的DrMOS模块
数据:
数据表:FDMF6824CCN-D.pdf
XS™DrMOS系列器件是飞兆新一代完全优化的超小型集成MOSFET及驱动器功率级解决方案,可用于高电流,高频率,同步降压DC-DC应用.FDMF6824C将驱动器IC,两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的,超小型6 x 6毫米封装中。
通过集成方法,可实现完整开关功率级的驱动器,MOSFET动态性能,系统电感和功率MOSFET R DS(ON)优化.XS™DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench ® MOSFET技术,显着减少开关振铃,省去大多数降压转换器件应用中使用的缓冲器电路。
驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟,可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告.FDMF6824C还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。FDMF6824C还提供了3态5 V PWM输入,可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。
特性 |
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- SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
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- 飞兆PowerTrench®技术MOSFET,可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
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- 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™(集成肖特基二极管)技术
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电路图、引脚图和封装图